12月24日，由国家能源局主办、深圳市发展改革委承办的2024年推进高质量充电基础设施体系建设座谈会在深圳隆重召开。其中，基本半导体“高压快充的碳化硅功率器件应用”作为深圳市充电设施十大先锋应用之一，在会议期间进行了重点推介和展示，彰显了深圳第三代半导体企业的科技实力。

伴随新能源汽车产业的高质量发展和“超充之城”建设的深入推进，深圳充换电基础设施产业和技术也迎来了发展良机。目前深圳已累计建成超充站1002座，率先实现超充站数量超过加油站，充电枪数量超过加油枪。

碳化硅器件具备宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异特性，能大幅提高单位功率密度，减小模块体积并简化电路设计，满足充电桩设备耐高压、耐高温、更小型化以及降低成本的需求，帮助新能源汽车实现快速充电的目标。   作为国产碳化硅功率器件的领跑者，基本半导体潜心研发，针对高压快充领域推出了多款碳化硅MOSFET，碳化硅二极管，E1B、E2B工业级碳化硅MOSFET模块，顶部散热MOSFET模块以及门极隔离驱动芯片BTD25350、BTD5350等系列产品。目前，基本半导体已和国内众多充电设施企业建立了良好的合作关系。

“光储超充车网互动，一杯咖啡满电出发。”在朝着“超充之城”不断迈进的路上，基本半导体与上下游产业链协同合作，以高性能的碳化硅功率器件解决方案赋能充换电产业高水平发展，为构建高质量充电基础设施体系贡献企业力量。

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