基本半導体は34 mmパッケージのフルSiC MOSFETハーフブリッジモジュールを発売した。この製品は次世代SiC MOSFET技術を採用し、オン抵抗、スイッチング損失、信頼性などの面で優れた性能を発揮しておる。代表品としてBMF80R12RA3とBMF160R12RA3がある。

BMF80R12RA3（I_D=80A@T_c=80℃，R_DS(on)=15mΩ）製品は、高速IGBT品と比較して、20 kWインバータ溶接機の応用状況においてパワーエレクトロニクスシミュレーションを行った。シミュレーション結果によると、IGBT品が20kHzのスイッチング周波数でしか動作しないのに対し、SiC MOSFETモジュールは80kHzといったより高いスイッチング周波数でも安定して動作でき、総損失はIGBT品と比べて50%程度低減できることが示された。

製品の特長

- 低オン抵抗

高温時のオン抵抗性能が優れており、導通損失が低い。

- 低スイッチング損失

インバータ溶接機をより高いスイッチング周波数で動作させることができ、溶接機の質量、サイズ、ノイズをさらに低減するとともに、動的応答速度を向上させ、出力電流および電圧波形の制御もより高精度になる。

-高出力電流

モジュールの熱抵抗が低く、高温環境下でも出力電流が向上する。

応用分野：インバータ溶接機、誘導加熱装置、高周波インバータ