基本半導体は、Pcore^TM12 EP2パッケージの産業用SiC MOSFET三相ブリッジモジュール「BMS065MR12EP2CA2」を発表した。本製品は次世代SiC MOSFET技術を採用し、整流器とインバーターの2セットの三相ブリッジ構造を革新的に統合している。さらに、NTC温度検出機能も搭載している。設計の最適化により、システム全体の効率を大幅に向上させ、コスト削減も実現し、お客様により高効率で信頼性の高いパワーソリューションを提供する。

製品の特長

- 低オン抵抗、低スイッチング損失で、より高いスイッチング周波数で動作できる

- 最大175℃のジャンクション温度

- 高い信頼性とパワー密度

- Si₃N₄ 絶縁放熱回路基板による優れたパワーサイクル性能

- 銅ベースプレートによる放熱設計

- NTC温度検出機能を搭載

応用分野：空調ヒートポンプ設備

回路トポロジー