車載ED3 SiC MOSFET モジュール Pcore™2は、低スイッチング損失、高速スイッチング、温度依存性の低減、高信頼性などの特徴を備えており、ジャンクション温度を175℃とできるため、この温度での動作が可能となります。また本モジュールは従来のSi モジュールのパッケージングと同等のため、IGBTモジュールから容易に置き換えることができます。Pcore™2モジュールを採用する場合に、製品開発サイクルを効果的に短縮し、開発効率を向上させることができます。

パラメータリスト