SiC MOSFET
SiC MOSFET
SiC MOSFET
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SiC MOSFET は、優れた高周波、高電圧、高温特性を持ち、現在パワーエレクトロニクス分野で最も注目されているワイドバンドギャップ半導体です。従来のSi-IGBT からSiC-MOSFET に置き換えることで、装置のスイッチング周波数、システム効率およびパワー密度の向上によって、システム全体でのコスト低減が期待されています。
基本半導体の第3世代SiC MOSFETは、オン抵抗、スイッチング損失、信頼性などの面で前世代製品よりも優れた性能を実現しています。
応用分野：xEV用インバーター、車載電源、太陽光発電用インバーター、充電ステーション、UPS
製品メリット
| | | |
| より低いオン抵抗 | より低いスイッチング損失 | より高い信頼性 | より高い 動作ジャンクション温度 |
SiC MOSFET
| Voltage | RDS(on) (mΩ) | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247PLUS-4 | TOLL | TOLT | TO-263-7 | T2PAK-7 | QDPAK | SOT-227 |
| 650V | 25 | B3M025065H | B3M025065Z | B3M025065L | B3M025065B | B3M025065R | AB3M025065C | AB3M040065CQ | ||
| 40 | B3M040065H | B3M040065Z | B3M040065L | B3M040065B | AB3M040065C | |||||
| 750V | 25 | B3M025075Z | ||||||||
| 10 | B3M010C075H | B3M010C075Z | ||||||||
| 1200V | 160 | B2M160120H | B2M160120Z | B2M160120R | ||||||
| 80 | ||||||||||
| 65 | B2M065120H | B2M065120Z | B2M065120R | |||||||
| 40 | ||||||||||
| 35 | B3M035120H | |||||||||
| 30 | B2M030120H | B2M030120Z | B2M030120R | B2M030120N | ||||||
| 20 | B3M020120H | |||||||||
| 15 | B2M015120N | |||||||||
| 13.5 | B3M013C120H | B3M013C120Z | ||||||||
| 11 | B3M011C120Y | |||||||||
| 1400V | 10 | B3M010140Y | ||||||||
| 20 | B3M020140H | B3M020140ZL | ||||||||
| 42 | B3M042140Z | |||||||||
| 1700V | 600 | B2M600170R |
A ：Automotive
* ：Under development, to be released.
