基本半導体が発表した産業用SiC MOSFETパワーモジュール-Pcore™2 E2B、Pcore™2 E1B、Pcore™4 E1Bは、オン抵抗、スイッチング損失、バイポーラ劣化抑制などの面で優れた性能を発揮します。

製品特長

- 高いウェハ信頼性

新しい内部構造は、SiC結晶の欠陥によるR_DS(on)の変動を大幅に抑制します。

- より優れたノイズ耐性

広いゲート・ソース電圧範囲（V_GS: -10V〜+25V）、及びより高いしきい値電圧（V_GS(th).typ =4V）で、ゲート駆動設計が容易になります。

- 高い耐熱性とパッケージ信頼性

高性能Si₃N₄ AMBセラミック基板と高温はんだの導入により、CTEの不一致を改善し長期的な熱サイクルによる信頼性を向上させています。

応用分野：UPS、燃料電池DCDC、大容量急速充電ステーション

パラメータリスト