在碳化硅MOSFET实际应用中，死区时间看似是基础参数，却直接关乎器件运行安全与电路效率，不少工程师在参数设置时常会遇到困惑：死区时间的理论最小值该如何计算？分立器件与模块的设置标准有何差异？门极电阻、工作温度又会对其产生哪些影响？

本期视频，基本半导体市场部总监魏炜将从死区时间量定义、公式推导入手，结合分立器件与模块的实测案例，深度拆解碳化硅MOSFET死区时间的设置逻辑与实战技巧。“SiC 科普小课堂”持续上新，欢迎大家观看交流！