传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅SBD（肖特基二极管）替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。

今天的“SiC科普小课堂”，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续为大家带来混合式IGBT话题第二讲，由于硅的FRD的反向恢复行为对杂散电感的敏感度很高，会限制IGBT的开通速度，那么将硅的FRD替换为碳化硅肖特基二极管后，会有什么不一样的表现呢？今天的课堂将围绕这一点为大家展开，点击下方链接，去了解究竟！