传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅SBD（肖特基二极管）替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。

今天的“SiC科普小课堂”，基本半导体市场部总监魏炜老师将围绕混合式IGBT这一全新话题，从反向恢复现象的角度对比续流二极管分别使用硅基FRD和碳化硅SBD时对开关损耗的影响，帮助大家深层理解混合式IGBT的技术逻辑和性能优势。点击下方链接，开课咯！