传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。

今天的“SiC科普小课堂”，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲，主要介绍硅基 FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响，以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法，点击下方视频一探究竟！

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基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。