基本半导体推出1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore™2 ED3系列，采用新一代碳化硅芯片技术，结合高性能Si₃N₄ AMB基板与铜基板封装，在提升功率密度的同时显著增强产品可靠性。

针对光伏、储能及工业电机驱动等应用，该模块具备低导通电阻与低开关损耗特性，支持更高开关频率。通过与同电压等级IGBT模块的仿真对比可见，ED3系列模块在效率与散热表现上优势明显，有助于系统实现更高功率密度与更低散热成本。此外，基本半导体可提供与该模块配套的即插即用驱动板整体解决方案，助力客户实现快速集成与高效开发。   

产品优势

- 新一代碳化硅MOSFET芯片技术，性能更优

- 低导通电阻，高温下R_DS(on)表现优异

- 低开关损耗，提高开关频率，功率密度提升

- 高性能Si₃N₄ AMB和高温焊料引入，提高产品可靠性

- 高可靠性和高功率密度

- 铜基板散热

应用领域：储能系统，固态变压器SST，光伏逆变器，牵引辅助变流器，电机驱动

电路拓扑