基本半導體推出相容EasyPACKTM封裝的工業級全碳化矽MOSFET功率模組PcoreTM2 E2B、PcoreTM2 E1B、PcoreTM4 E1B等,該產品基於高性能 6英寸晶圓平臺設計,在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。
產品特點
- 高晶圓可靠性
新型內部構造極大抑制了碳化矽晶體缺陷引起的RDS(on)退化。
- 更優異抗噪特性
寬柵-源電壓範圍(VGS: -10V~+25V),及更高閾值電壓(VthGS(th).typ = 4V),便於柵極驅動設計。
- 高熱性能及高封裝可靠性
高性能氮化矽AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善長期高溫度衝擊迴圈的CTE失配。
應用領域:燃料電池DCDC、UPS、大功率快速充電樁等。
參數列表
Part No. | Data Sheet | VDSS (V) | RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | IDnom (A) | VGS(op) (V) | VGS(th) (V) | VSD (V) | QG (nC) | Pin-Type | Package Name |
BMH027MR07E1G3 | 650 | 27 | 40 | +18/-4 | 4.0 | 1.75 | 65 | Press-Fit | Pcore™4 E1B | |
BMF011MR12E1G3 | 1200 | 11 | 120 | +18/-4 | 4.0 | 2.10 | 246 | Press-Fit | Pcore™2 E1B | |
BMF008MR12E2G3 | 1200 | 8.1 | 160 | +18/-4 | 4.0 | 1.90 | 401 | Press-Fit | Pcore™2 E2B | |
BMF240R12E2G3 | 1200 | 5.5 | 240 | +18/-4 | 4.0 | 1.35 | 492 | Press-Fit | Pcore™2 E2B |