基本半導體推出34mm封裝的全碳化矽MOSFET半橋模組，該系列產品採用新一代碳化矽MOSFET晶片技術，在導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現出色，主要的產品有BMF80R12RA3和BMF160R12RA3。

BMF80R12RA3（ID=80A@Tc=100℃，RDS(on)=15mΩ）產品與IGBT在20kW逆變焊機應用工況中進行電力電子模擬對比。模擬資料表明，相對於IGBT只運行在20kHz的開關頻率，碳化矽MOSFET可在80kHz等更高開關頻率下運行，其總損耗相較於IGBT模組還能降低50%左右。

產品優勢

- 低導通電阻

高溫導通電阻表現優異，導通損耗低。

- 開關損耗低

助力逆變焊機可在更高頻率下工作，進一步減小焊機的品質、體積和雜訊，同時加快動態回應速度，輸出電流電壓波形的控制也更加準確。

-輸出電流大

模組熱阻低，高溫下工作的輸出電流更高。

應用領域：逆變焊機、感應加熱設備、高頻逆變器。