基本半導體推出1200V工業級碳化矽MOSFET半橋模組Pcore™2 ED3系列，採用新一代碳化矽晶片技術，結合高性能Si₃N₄ AMB基板與銅基板封裝，在提升功率密度的同時顯著增強產品可靠性。

針對光伏、儲能及工業電機驅動等應用，該模組具備低導通電阻與低開關損耗特性，支援更高開關頻率。通過與同電壓等級IGBT模組的模擬對比可見，ED3系列模組在效率與散熱表現上優勢明顯，有助於系統實現更高功率密度與更低散熱成本。此外，基本半導體可提供與該模組配套的隨插即用驅動板整體解決方案，助力客戶實現快速集成與高效開發。

產品優勢

- 新一代碳化矽MOSFET晶片技術，性能更優

- 低導通電阻，高溫下R_DS(on)表現優異

- 低開關損耗，提高開關頻率，功率密度提升

- 高性能Si₃N₄ AMB和高溫焊料引入，提高產品可靠性

- 高可靠性和高功率密度

- 銅基板散熱

應用領域：儲能系統，固態變壓器SST，光伏逆變器，牽引輔助變流器，電機驅動

電路拓撲

参數列表