基本半導體推出工業級全碳化矽 MOSFET 功率模組 Pcore™4 E3B。該產品採用新一代 1400V 碳化矽 MOSFET 晶片技術，創新性地在一個模組中集成了兩組飛跨電容三電平升壓電路，同時預留兩種預充電回路和吸收電容引腳。產品在提升系統功率的同時，可保障系統上電安全，為客戶提供更高效、可靠的模組解決方案。

產品特點

- 開關管採用新一代1400V碳化矽MOSFET晶片技術，低開關損耗和低導通損耗

- 升壓二極體採用1400V碳化矽SBD晶片技術，基本上無反向恢復損耗

- 集成兩組飛跨電容三電平升壓電路，並預留兩種預充電回路和吸收電容引腳

- 採用Si₃N₄雙面陶瓷覆銅板，功率迴圈能力出色

- 採用銅基板，更有利於散熱

- 集成NTC溫度檢測

應用領域：組串式光伏逆變器MPPT、儲能系統