基本半导体推出EasyPACK™封装的工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E2B、Pcore™2 E1B、Pcore™4 E1B等,该系列产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
产品优势
- 高晶圆可靠性
新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。
- 优异抗噪特性
宽栅-源电压范围(VGS: -10V~+25V),及更高阈值电压(VGS(th).typ: 4V),便于栅极驱动设计。
-高热性能及高封装可靠性
高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入,改善温度循环的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。
应用领域:燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。
产品列表
Part No. | Data Sheet | VDSS (V) | RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | IDnom (A) | VGS(op) (V) | VGS(th) (V) | VSD (V) | QG (nC) | Pin-Type | Package Name | |
BMH027MR07E1G3 | 650 | 27 | 40 | +18/-4 | 4.0 | 1.75 | 65 | Press-Fit | Pcore™4 E1B | 样品申请 | |
BMF011MR12E1G3 | 1200 | 11 | 120 | +18/-4 | 4.0 | 2.10 | 246 | Press-Fit | Pcore™2 E1B | 样品申请 | |
BMF240R12E2G3 | 1200 | 5.5 | 240 | +18/-4 | 4.0 | 1.35 | 492 | Press-Fit | Pcore™2 E2B | 样品申请 |