基本半导体推出工业级全碳化硅 MOSFET 功率模块 Pcore™4 E3B。该产品采用新一代 1400V 碳化硅 MOSFET 芯片技术，创新性地在一个模块中集成了两组飞跨电容三电平升压电路，同时预留两种预充电回路和吸收电容引脚。产品在提升系统功率的同时，可保障系统上电安全，为客户提供更高效、可靠的模块解决方案。

产品优势

- 开关管采用新一代1400V碳化硅MOSFET芯片技术，低开关损耗和低导通损耗

- 升压二极管采用1400V碳化硅SBD芯片技术，基本上无反向恢复损耗

- 集成两组飞跨电容三电平升压电路，并预留两种预充电回路和吸收电容引脚

- 采用Si₃N₄双面陶瓷覆铜板，功率循环能力出色

- 采用铜基板，更有利于散热

- 集成NTC温度检测

应用领域：组串式光伏逆变器MPPT、储能系统