基本半導体は、1200V産業用SiC MOSFETハーフブリッジモジュール「Pcore™2 ED3シリーズ」を発表しました。この製品は、次世代SiC MOSFET技術を採用し、高性能Si3N4 AMB基板と銅ベースプレートを組み合わせたパッケージにより、パワー密度を向上させると同時に製品の信頼性を大幅に高めています。

太陽光発電、エネルギー貯蔵、産業用モータードライブなどのアプリケーション向けに，本モジュールは、低オン抵抗と低スイッチング損失を実現し、より高いスイッチング周波数に対応します。同電圧クラスのIGBTモジュールとのシミュレーション比較から、ED3モジュールは効率と放熱性能において優位性を示し、システムの高パワー密度化と放熱コストの低減に貢献します。さらに、基本半導体は本モジュールに対応するプラグ & プレイ対応のドライバーボードのトータルソリューションも提供し、お客様の迅速なシステム統合と高効率な開発を支援します。   

製品の特長

- 次世代SiC MOSFET技術を採用し、優れた性能

- 低オン抵抗、優れた高温下でのR_DS(on)性能

- 低スイッチング損失、スイッチング周波数とパワー密度の向上を実現

- 高性能Si₃N₄ AMBセラミック基板と高温はんだの導入により、信頼性を向上

- 高い信頼性とパワー密度

- 銅ベースプレートによる放熱設計

応用分野：エネルギー貯蔵システム、ソリッドステートトランス（SST）、太陽光発電インバーター、トラクション補助コンバータ

回路トポロジー