基本半導体は、産業用フルSiC MOSFETパワーモジュール「Pcore™4 E3B」を発表しました。この製品は、次世代1400V SiC MOSFET技術を採用し、2組のフライングキャパシタ3レベル昇圧回路を1つのモジュールに革新的に集積しています。また、2種類のプリチャージ回路とスナバコンデンサ用のピンを備えています。システムの高出力化を実現するとともに、システムの電源投入時の安全性を確保し、お客様に対してより高効率で信頼性の高いモジュールソリューションを提供します。

製品の特長

- スイッチング素子には次世代1400V SiC MOSFET技術を採用し、低スイッチング損失と導通損失を低減

- 昇圧ダイオードには1400V SiC SBD技術を採用し、逆回復損失をほぼゼロ

- 2組のフライングキャパシタ3レベル昇圧回路を集積し、2種類のプリチャージ回路とスナバコンデンサ用ピンを用意

- Si₃N₄絶縁放熱回路基板を採用し，優れたパワーサイクル性能

- 銅ベースプレートによる放熱設計

- NTC温度検出機能を搭載

応用分野：ストリングインバータMPPT、エネルギー貯蔵システム