基本半导体新一代碳化硅MOSFET系列产品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，基本半导体还开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点；在新能源汽车应用方面，基本半导体研发推出符合AECQ-101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ/40mΩ 车规级碳化硅MOSFET，可应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。

基本半导体还展出了专为新能源汽车主驱逆变器设计的1200V和750V耐压等级汽车级碳化硅MOSFET功率模块，包括Pcore™6汽车级HPD模块（4/6/8芯片并联）、Pcore™2汽车级DCM模块、Pcore™1汽车级TPAK模块等。

该系列模块采用先进的有压型银烧结工艺、高性能铜线键合技术、铜排互连技术以及直接水冷的PinFin结构，产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点。

针对工业领域，基本半导体自主研发的工业级全碳化硅MOSFET功率模块产品类型进一步丰富，包括Pcore™2 E2B、Pcore™2 E1B、Pcore™4 E1B等模块，产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色，可广泛应用于大功率充电桩、有源电力滤波器（APF）、储能变流器（PCS）、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器等领域。

基本半导体针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用，产品包括单、双通道隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。产品具有低传输延迟、强抗干扰能力、高驱动电流、高可靠性等亮点，可应用于光储一体机、光伏逆变器、车载充电机（OBC）、充电桩、不间断电源（UPS）、新能源汽车电机驱动、工业电源等。

在同期举行的碳化硅（SiC）与汽车半导体技术与应用论坛上，基本半导体工业业务部总监杨同礼受邀发表了主题演讲《车规级功率半导体进展》。