1200/650V E1B封装工业级碳化硅功率模块

为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB基板等技术，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色，可应用于大功率充电桩、有源电力滤波器（APF）、储能变流器（PCS）、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器等领域。