各位小伙伴，欢迎来到“SiC科普小课堂”之“栅极氧化层”话题第三讲！本期我们聚焦栅极氧化层的核心问题——为什么碳化硅MOSFET的栅极正负压不对称？硅MOSFET和碳化硅 MOSFET的栅氧设计为何存在本质区别？基本半导体市场部总监魏炜老师将从材料特性到物理机制进行深度解析，欢迎大家点击观看！