在碳化硅MOSFET的选型与应用中，体二极管的反向恢复特性是影响开关损耗和系统效率的关键因素。提及反向恢复，多数工程师首先关注的是反向恢复时间trr，但真正决定损耗本质的参数，其实是反向恢复电荷Qrr。这一认知偏差，可能导致设计优化偏离核心。

本期视频，基本半导体市场部总监魏炜将深入解析trr、Qrr、IRRM三个参数的本质差异，从物理机理和损耗量化角度阐明：为何Qrr才是影响Eon损耗的决定性参数，温度与di/dt如何影响Qrr，以及碳化硅MOSFET体二极管与碳化硅SBD在动态行为上的核心区别。“SiC 科普小课堂” 持续上新，欢迎大家点击观看！