随着可再生能源、电动汽车等领域现代电力应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料具有适合高压、大功率应用的优良特性，在650V、1200V及更高电压场景中开始发挥显著作用，成为光伏逆变器、电动汽车充电的最佳解决方案。

本期话题，给大家推荐一个超级给力的产品，那就是基本半导体面向工业应用开发的Pcore^TM2 E2B工业级碳化硅半桥模块。如果你还在为传统硅基半导体的性能瓶颈烦恼，那你绝对不能错过这款产品。它不仅采用了先进的碳化硅技术，还结合了高品质晶圆工艺，简直就是高效与稳定的完美结合！

为改善长期高温度冲击循环引起的CTE失配现象，Pcore^TM2 E2B工业级碳化硅半桥模块采用高性能的氮化硅(Si₃N₄)AMB陶瓷基板及高温焊料，以满足应用端对高热导率、优异电绝缘性能以及高强度、高可靠性的要求。

不同陶瓷覆铜板材料的性能对比

由于氮化硅陶瓷基板的热导率远高于传统的硅材料，这意味着在高功率密度的应用中，它可以更有效地散热。此外，其低热膨胀系数确保了在温度变化时器件的物理尺寸保持稳定，从而减少了因热循环引起的机械应力，提高了模块产品的长期可靠性。

相比之下，氧化铝（Al₂O₃）虽然成本较低，但其热导率仅为20-35 W/m·K，远低于氮化硅的160-240 W/m·K。氮化铝（AlN）的热导率较高，约为170-260 W/m·K，与氮化硅相近，但在高温下，氮化铝的性能可能会下降。

氮化硅材料的电绝缘强度是硅的10倍，这使得Pcore^TM2 E2B模块能够在更高的电压和频率下工作，同时保持较低的能量损耗。这对于追求高效率和高功率密度的应用来说，是一个显著的优势。而氧化铝和氮化铝虽然也具有良好的电绝缘性能，但它们的电气性能通常不如氮化硅。

由于氮化硅材料对环境因素如湿度、温度和化学物质等具有很高的抵抗力，这保证了Pcore^TM2 E2B模块在恶劣环境下仍能保持稳定性能，延长使用寿命。相比之下，氧化铝和氮化铝在某些极端环境下可能会出现性能退化，尤其是在高温和化学腐蚀环境中。

基于碳化硅肖特基二极管的零反向恢复特性，Pcore^TM2 E2B模块所采用的碳化硅MOSFET晶圆在设计时便考虑到了这一点，通过在碳化硅MOSFET元胞中内置碳化硅二极管元胞，使得体二极管基本没有反向恢复行为，大幅降低了器件的开通损耗。

这种设计有效避免了传统体二极管的叠层缺陷问题，即当逆电流流过本体二极管时，不会导致主体MOSFET管的有源区域减小和比导通电阻R_DS(on)的变化。这种设计不仅降低了VF值，还防止了碳化硅的双极性退化。