随着终端快充功率持续攀升，传统硅基器件在功率密度、散热和开关损耗方面面临瓶颈。基本半导体此次重点展出的小功率SiC MOSFET系列，基于第三代碳化硅技术平台开发，精准瞄准快充适配器、PD电源、LED驱动电源及TV电源等消费电子应用场景，以高功率密度、低导通损耗、高热导率和高可靠性等核心优势，为快充设备实现更小体积、更高效率与更优散热性能提供了全新路径。

该系列产品电压覆盖650V至800V，R_DS(on)涵盖90mΩ至1Ω阻值范围，提供晶圆、裸芯片及TO-220F-3、TO-252-3、DFN 5×6、DFN 8×8、TO-263-3、TOLL等多种封装选择，可灵活适配不同功率等级的快充设计需求。低导通损耗与极速开关特性，让充电速度更快更稳；高热导率与高可靠性，则从材料源头提升了系统安全性与使用寿命。

此外，基本半导体即将发布更大毫欧内阻的SiC MOSFET产品，涵盖2Ω、3Ω等规格，进一步丰富产品矩阵，满足更多小功率消费类电源的海量合封应用需求。

展会现场，基本半导体还展出了搭载SiC MOSFET的AC-DC电源适配器参考设计Demo板。该方案具备高耐压、低导通损耗与优异EMI特性，支持产品小型化设计，可广泛应用于PD充电器、适配器、LED驱动电源及TV电源等场景，为消费类电源设计提供从器件到系统的完整参考。

展会同期，基本半导体技术支持副总监梁志定发表了题为《平滑C-V的红利——SiC MOSFET替代超结：从EMI优势到系统降本》的主题演讲。演讲聚焦从Si到SiC的消费类电源降本增效实战路径，深度剖析SiC MOSFET替代Si MOSFET的系统级优化方案，该方案结合实战经验，通过全局设计改进，可有效突破传统方案在可靠性、EMI、效率、温升及成本上的瓶颈，助力产品实现性能与效益的双重跃升，为快充电源设计提供了“以器件特性驱动系统降本”的全新思路。